IRF6626TR1PBF
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IRF6626TR1PBF

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.35V @ 250µA
供应商器件封装
DIRECTFET™ ST
封装 / 外壳
DirectFET™ Isometric ST
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
16A (Ta), 72A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
5.4mOhm @ 16A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2380 pF @ 15 V
最大功耗
2.2W (Ta), 42W (Tc)