IRF7102
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IRF7102

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
最大功率
2W
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
50V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
120pF @ 25V