IRFBF30S
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IRFBF30S

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES

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库存 1600

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
125W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1200 pF @ 25 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
78 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
900 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
供应商器件封装
TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB