IRFP4332PBFXKMA1
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IRFP4332PBFXKMA1

分类：
-
制造商：
描述：
TRENCH >=100V
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$2.4

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
150 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-247AC
封装 / 外壳
TO-247-3
漏极至源极电压 (Vdss)
250 V
最大功耗
360W (Tc)
最大栅源电压
±30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 250µA
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
33mOhm @ 35A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5860 pF @ 25 V