IRL60B216
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IRL60B216

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-220AB
封装 / 外壳
TO-220-3
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.4V @ 250µA
最大功耗
375W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
195A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.9mOhm @ 100A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
258 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
15570 pF @ 25 V