IRLR120NTRR
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IRLR120NTRR

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
最大功耗
48W (Tc)
最大栅源电压
±16V
供应商器件封装
TO-252AA (DPAK)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
440 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
185mOhm @ 6A, 10V