IRLZ24NSPBF
  • image of IRLZ24NSPBF

IRLZ24NSPBF

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Discontinued at
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
最大栅源电压
±16V
漏极至源极电压 (Vdss)
55 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4V, 10V
供应商器件封装
D2PAK
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
480 pF @ 25 V
最大功耗
3.8W (Ta), 45W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15 nC @ 5 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
60mOhm @ 11A, 10V