NTCR013N120M3S
  • image of NTCR013N120M3S

NTCR013N120M3S

分类：
-
制造商：
描述：
WAFER DIE
封装：
包装：
Tray
RoHS：
YES
价格：
$33.36

请求报价

库存 1600

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
工作温度
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
-
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大栅源电压
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
20mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.4V @ 37mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
254 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5813 pF @ 800 V