NTD18N06LT4G
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NTD18N06LT4G

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.28

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库存 1660

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
供应商器件封装
DPAK
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
22 nC @ 5 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Ta)
最大栅源电压
±15V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
65mOhm @ 9A, 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
675 pF @ 25 V
最大功耗
2.1W (Ta), 55W (Tj)