NTMYS025N06CLTWG
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分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.62

请求报价

库存 3119

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
330 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 13µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
封装 / 外壳
SOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装
LFPAK4 (5x6)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
最大功耗
3.8W (Ta), 24W (Tc)