NVMFS6H864NWFT1G
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NVMFS6H864NWFT1G

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.65

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库存 2789

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规格
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 20µA
封装 / 外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
32mOhm @ 5A, 10V
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
供应商器件封装
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.7A (Ta), 21A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
370 pF @ 40 V
最大功耗
3.5W (Ta), 33W (Tc)