NVMYS3D3N06CLTWG
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分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.78

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库存 6975

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2880 pF @ 25 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3mOhm @ 50A, 10V
封装 / 外壳
SOT-1023, 4-LFPAK
最大功耗
3.9W (Ta), 100W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
26A (Ta), 133A (Tc)
供应商器件封装
LFPAK4 (5x6)