PJB120N04S-AU_R2_002A1
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PJB120N04S-AU_R2_002A1

分类:
-
制造商:
-
描述:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$4.1

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库存 1600

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
130 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8400 pF @ 25 V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
最大功耗
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.3V @ 50µA
供应商器件封装
TO-263AB
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
33A (Ta), 120A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.9mOhm @ 90A, 10V