PJQ4407P_R1_00001
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PJQ4407P_R1_00001

分类:
-
制造商:
-
描述:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.23

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规格
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
零件状态
Not For New Designs
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
20mOhm @ 8A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
DFN3333-8
最大功耗
2W (Ta), 27W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 30A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1169 pF @ 15 V