PJQ4476AP_R2_00001
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PJQ4476AP_R2_00001

分类:
-
制造商:
-
描述:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.54

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库存 1600

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
31 nC @ 10 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
25mOhm @ 15A, 10V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
DFN3333-8
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1519 pF @ 30 V
最大功耗
2W (Ta), 62W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.3A (Ta), 35A (Tc)