PSMB032N08NS1_R2_00601
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PSMB032N08NS1_R2_00601

分类:
-
制造商:
-
描述:
80V/ 3.4MOHM / MV MOSFET
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$3.39

请求报价

库存 2370

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
7V, 10V
供应商器件封装
TO-263
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
最大功耗
156W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
161A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.75V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
76 nC @ 7 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7430 pF @ 40 V