RF6G035BGTCR
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RF6G035BGTCR

分类:
-
制造商:
描述:
NCH 40V 3.5A, TUMT6, POWER MOSFE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.75

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
封装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.5 nC @ 10 V
供应商器件封装
TUMT6
最大功耗
910mW (Ta)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
150 pF @ 20 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
46mOhm @ 3.5A, 10V