RFD8P06LE
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RFD8P06LE

分类：
-
制造商：
描述：
P-CHANNEL POWER MOSFET
封装：
包装：
Bulk
RoHS：
YES
价格：
$0.44

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 250µA
最大栅源电压
±10V
最大功耗
48W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30 nC @ 10 V
供应商器件封装
IPAK
封装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
675 pF @ 25 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
300mOhm @ 8A, 5V