RQ1C065UNTR
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分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.89

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库存 4405

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C (TJ)
最大栅源电压
±10V
最大功耗
700mW (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
870 pF @ 10 V
封装 / 外壳
8-SMD, Flat Leads
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 1mA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
供应商器件封装
TSMT8