S2M0080120J
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S2M0080120J

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$12

请求报价

库存 1803

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 10mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大功耗
234W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
54 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1324 pF @ 1000 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
37A (Tj)