S3M0030120K
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S3M0030120K

分类:
-
制造商:
-
描述:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$12.51

请求报价

库存 1600

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
最大功耗
130W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
74A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
18V
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+18V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 16mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
143 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2844 pF @ 1000 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
39mOhm @ 40A, 18V