SCTWA30N120
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SCTWA30N120

分类:
-
制造商:
描述:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$27.71

请求报价

库存 1894

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
最大功耗
270W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
45A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
100mOhm @ 20A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1700 pF @ 400 V
供应商器件封装
HiP247™ Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 1mA (Typ)