SI2333-TP
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SI2333-TP

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.46

请求报价

库存 26531

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
最大栅源电压
±8V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V
漏极至源极电压 (Vdss)
12 V
供应商器件封装
SOT-23
最大功耗
350mW (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1275 pF @ 6 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
150mOhm @ 500mA, 1.5V