SI2429DW-TP
SI2429DW-TP
  • image of SI2429DW-TP
  • image of SI2429DW-TP

SI2429DW-TP

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET 20V 1.5A/1A SOT363
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES
价格:
$0.08

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
配置
-
工作温度
-55°C ~ 150°C
漏极至源极电压 (Vdss)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
封装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
最大功率
450mW
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.5A, 1A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
90mOhm @ 1A, 4.5V, 150mOhm @ 1A, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.98nC @ 4.5V, 3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
202pF @ 10V, 223pF @ 10V