SIE822DF-T1-E3
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SIE822DF-T1-E3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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库存 1600

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
78 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
最大功耗
5.2W (Ta), 104W (Tc)
供应商器件封装
10-PolarPAK® (S)
封装 / 外壳
10-PolarPAK® (S)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.4mOhm @ 18.3A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4200 pF @ 10 V