SIR4409DP-T1-RE3
  • image of SIR4409DP-T1-RE3

SIR4409DP-T1-RE3

分类:
-
制造商:
描述:
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$2.06

请求报价

库存 18373

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
126 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5670 pF @ 20 V
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
最大功耗
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17.2A (Ta), 60.6A (Tc)