SPP80N06S2-05
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SPP80N06S2-05

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
最大功耗
300W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
170 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
55 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6790 pF @ 25 V
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
5.1mOhm @ 80A, 10V