SQJB00EP-T1_GE3
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SQJB00EP-T1_GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.65

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
60V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35nC @ 10V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
13mOhm @ 10A, 10V
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
最大功率
48W
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1700pF @ 25V