SUD09P10-195-BE3
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SUD09P10-195-BE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.51

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库存 4354

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
供应商器件封装
TO-252AA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1055 pF @ 50 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
195mOhm @ 3.6A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
最大功耗
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)