TK1K2A60F,S4X
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TK1K2A60F,S4X

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$1.96

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库存 1679

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
封装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
最大栅源电压
±30V
最大功耗
35W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
21 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.2Ohm @ 3A, 10V
供应商器件封装
TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 630µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
740 pF @ 300 V