TK4R3E06PL,S1X
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TK4R3E06PL,S1X

分类:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$2.26

请求报价

库存 1650

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
供应商器件封装
TO-220
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
最大功耗
87W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 500µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3280 pF @ 30 V