TP5335MF-G-VAO
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TP5335MF-G-VAO

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级
Automotive
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.4V @ 1mA
最大功耗
360mW (Ta)
认证
AEC-Q100
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
封装 / 外壳
6-VDFN Exposed Pad
漏极至源极电压 (Vdss)
350 V
供应商器件封装
6-DFN (2x2)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
110 pF @ 25 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
30Ohm @ 200mA, 10V