TSM3N80CH C5G
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TSM3N80CH C5G

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
800 V
最大功耗
94W (Tc)
最大栅源电压
±30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3A (Tc)
封装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4.2Ohm @ 1.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
696 pF @ 25 V