TSM80N1R2CH
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TSM80N1R2CH

分类：
-
制造商：
描述：
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$2.68

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
800 V
最大功耗
110W (Tc)
最大栅源电压
±30V
封装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.2Ohm @ 2.75A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
685 pF @ 100 V