US6M2GTR
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US6M2GTR

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.16

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
150°C
配置
N and P-Channel
最大功率
1W
封装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
漏极至源极电压 (Vdss)
30V, 20V
供应商器件封装
TUMT6
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.5A, 1A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V