VDR10N085LSA
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VDR10N085LSA

分类:
-
制造商:
-
描述:
100V, Single N Channel MOSFET, R
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$2.05

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
70A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
56 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-252
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
8.5mOhm @ 20A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2551 pF @ 50 V
最大功耗
65.2W