XP231N0201TR-G
  • image of XP231N0201TR-G

XP231N0201TR-G

分类:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 200MA
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.29

请求报价

库存 4460

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
工作温度
150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大功耗
400mW (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.8V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
5Ohm @ 10mA, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.18 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6.5 pF @ 10 V
供应商器件封装
SOT-23 (TO-236)