XP3N1R8MT
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XP3N1R8MT

分类:
-
制造商:
-
描述:
FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.35

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库存 1600

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规格
零件状态
Last Time Buy
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4850 pF @ 25 V
封装 / 外壳
8-PowerLDFN
最大功耗
5W (Ta), 83.3W (Tc)
供应商器件封装
PMPAK® 5 x 6
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.89mOhm @ 20A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
40.6A (Ta), 165A (Tc)