C3M0060065D
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C3M0060065D

分类:
-
制造商:
-
描述:
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$19.93

请求报价

库存 2006

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
150W (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
37A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
供应商器件封装
TO-247-3
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+15V, -4V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
46 nC @ 15 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.6V @ 5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1020 pF @ 600 V