C3M0160120J-TR
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C3M0160120J-TR

分类:
-
制造商:
-
描述:
SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$14.4

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库存 1880

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
最大功耗
90W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24 nC @ 15 V
最大栅源电压
+15V, -4V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
208mOhm @ 8.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.6V @ 2.33mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
632 pF @ 1000 V