DMTH69M8LFVW-13
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DMTH69M8LFVW-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.3

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库存 1600

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规格
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
最大栅源电压
±16V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1925 pF @ 30 V
供应商器件封装
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
最大功耗
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)