E3M0160120J2-TR
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E3M0160120J2-TR

分类:
-
制造商:
-
描述:
160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$12.14

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库存 2297

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
供应商器件封装
TO-263-7
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
104W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+19V, -8V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28 nC @ 15 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
208mOhm @ 8.5A, 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
730 pF @ 1000 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.8V @ 2.33mA