EPC2219
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EPC2219

分类:
-
制造商:
-
描述:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$2.2

请求报价

库存 7951

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
最大功耗
-
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
漏极至源极电压 (Vdss)
65 V
最大栅源电压
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 100µA
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.3Ohm @ 59mA, 5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.064 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10 pF @ 32.5 V