FDFS6N303
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FDFS6N303

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
封装：
包装：
Bulk
RoHS：
YES
价格：
$0.42

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
8-SOIC
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
场效应晶体管特性
Schottky Diode (Isolated)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Ta)
最大功耗
900mW (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
35mOhm @ 6A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
350 pF @ 15 V