FDU8870
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FDU8870

分类:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$1.32

请求报价

库存 67275

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大功耗
160W (Tc)
供应商器件封装
IPAK
封装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.9mOhm @ 35A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
118 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5160 pF @ 15 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
21A (Ta), 160A (Tc)