FF06030E-3A
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FF06030E-3A

分类:
-
制造商:
-
描述:
SICFET N-CH 650V 75A TO-247-3L
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$23.69

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
75A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
278W (Tc)
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
最大栅源电压
+18V, -8V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V, 18V
供应商器件封装
TO-247-3L
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
45mOhm @ 30A, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3015 pF @ 400 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
125 nC @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.2V @ 40mA (Typ)