FQB6N70TM
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FQB6N70TM

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
封装：
包装：
Bulk
RoHS：
YES
价格：
$2.53

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400 pF @ 25 V
供应商器件封装
TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40 nC @ 10 V
最大栅源电压
±30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
700 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
最大功耗
3.13W (Ta), 142W (Tc)