FQI12N60TU
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FQI12N60TU

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1900 pF @ 25 V
最大栅源电压
±30V
封装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
54 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
最大功耗
3.13W (Ta), 180W (Tc)
供应商器件封装
TO-262 (I2PAK)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
700mOhm @ 5.3A, 10V