FQPF4N80
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FQPF4N80

分类:
-
描述:
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$1.21

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库存 1934

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
最大功耗
43W (Tc)
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
25 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
封装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
漏极至源极电压 (Vdss)
800 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
880 pF @ 25 V
最大栅源电压
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
5V @ 250µA
供应商器件封装
TO-220F-3
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.6Ohm @ 1.1A, 10V