HT8KC5TB1
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HT8KC5TB1

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.72

请求报价

库存 4518

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
60V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
90mOhm @ 3.5A, 10V
供应商器件封装
8-HSMT (3.2x3)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
135pF @ 30V
最大功率
2W (Ta), 13W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.5A (Ta), 10A (Tc)